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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG28N65EF-GE3-ND
Cantidad disponible 525
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHG28N65EF-GE3

Descripción MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHG28N65EF
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado 650 V Fast Body Diode MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 117 mOhm a 14 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 146 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3249 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres SiHG28N65EF-GE3

17:57:42 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.60000 6.60
10 5.93100 59.31
25 5.60720 140.18
100 4.85940 485.94
250 4.61020 1,152.55
500 4.13672 2,068.36
1,000 3.48880 3,488.80
2,500 3.31436 8,285.90

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