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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG25N50E-GE3-ND
Cantidad disponible 443
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHG25N50E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
Descripción ampliada N-Channel 500V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos Packaging Information
SIHG25N50E-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1980 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 145 mOhm a 12 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

12:39:21 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.86000 3.86
10 3.46400 34.64
25 3.27440 81.86
100 2.83780 283.78
250 2.69232 673.08
500 2.41580 1,207.90
1,000 2.03742 2,037.42
2,500 1.93555 4,838.87

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