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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG21N65EF-GE3-ND
Cantidad disponible 497
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHG21N65EF-GE3

Descripción MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC
Descripción ampliada N-Channel 650V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHG21N65EF
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 106 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2322 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 208 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres SiHG21N65EF-GE3

13:40:09 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.11000 5.11
10 4.59300 45.93
25 4.34240 108.56
100 3.76350 376.35
250 3.57052 892.63
500 3.20380 1,601.90
1,000 2.70200 2,702.00
2,500 2.56690 6,417.25

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