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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHF22N65E-GE3-ND
Cantidad disponible 929
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHF22N65E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK
Descripción ampliada N-Channel 650V 22A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHF22N65E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2415 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHF22N65E-GE3CT
SIHF22N65E-GE3CT-ND

15:29:09 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.66000 4.66
10 4.18900 41.89
25 3.96000 99.00
100 3.43200 343.20
250 3.25600 814.00
500 2.92160 1,460.80
1,000 2.46400 2,464.00
2,500 2.34080 5,852.00

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