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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHD7N60E-GE3-ND
Cantidad disponible 12,999
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHD7N60E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
Descripción ampliada N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-Pak
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHD7N60E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 680 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 78 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 3.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres SIHD7N60EGE3

22:41:54 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.91000 1.91
10 1.71700 17.17
25 1.62000 40.50
100 1.38020 138.02
250 1.29600 324.00
500 1.13400 567.00
1,000 0.93960 939.60
2,500 0.87480 2,187.00
5,000 0.84240 4,212.00

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