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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHD6N65E-GE3-ND
Cantidad disponible 1,003
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHD6N65E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHD6N65E-GE3
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 48 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 820 pF a 100 V
Potencia máxima 78 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor D-PAK (TO-252AA)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres SIHD6N65E-GE3CT
SIHD6N65E-GE3CT-ND

07:19:45 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.53000 1.53
10 1.37800 13.78
25 1.30000 32.50
100 1.10760 110.76
250 1.04000 260.00
500 0.91000 455.00
1,000 0.75400 754.00
2,500 0.70200 1,755.00
5,000 0.67600 3,380.00

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