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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHD5N50D-GE3-ND
Cantidad disponible 2,520
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHD5N50D-GE3

Descripción MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Descripción ampliada N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHD5N50D
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 325pF a 100V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 104 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 Ohm a 2.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3CT-ND

09:21:54 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.00000 1.00
10 0.89400 8.94
25 0.84840 21.21
100 0.69690 69.69
250 0.65144 162.86
500 0.57570 287.85
1,000 0.45450 454.50
2,500 0.42420 1,060.50
5,000 0.40299 2,014.95

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