Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB33N60EF-GE3-ND
Cantidad disponible 2,702
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHB33N60EF-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHB33N60EF
Notas de aplicación Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 98 mOhm a 16.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 155 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3454 pF a 100 V
Potencia máxima 278 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

09:18:34 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.19000 6.19
10 5.59000 55.90
25 5.33000 133.25
100 4.62800 462.80
250 4.42000 1,105.00
500 4.03000 2,015.00
1,000 3.51000 3,510.00
2,500 3.38000 8,450.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario