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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB28N60EF-GE3-ND
Cantidad disponible 2,967
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHB28N60EF-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHB28N60EF-GE3
Notas de aplicación Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 123 mOhm a 14 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 120 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2714 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

07:28:39 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.91000 5.91
10 5.30700 53.07
25 5.01760 125.44
100 4.34850 434.85
250 4.12552 1,031.38
500 3.70180 1,850.90
1,000 3.12200 3,122.00
2,500 2.96590 7,414.75

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