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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB24N65E-E3-ND
Cantidad disponible 985
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHB24N65E-E3

Descripción MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 122 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2740 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 145 mOhm a 12 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHB24N65EE3

17:23:53 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.64000 5.64
10 5.06900 50.69
25 4.79240 119.81
100 4.15350 415.35
250 3.94052 985.13
500 3.53580 1,767.90
1,000 2.98200 2,982.00
2,500 2.83290 7,082.25

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