Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB24N65E-E3-ND
Cantidad disponible 985
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHB24N65E-E3

Descripción MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 122 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2740 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 145 mOhm a 12 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHB24N65EE3

13:30:49 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.93000 5.93
10 5.32300 53.23
25 5.03200 125.80
100 4.36120 436.12
250 4.13752 1,034.38
500 3.71260 1,856.30
1,000 3.13110 3,131.10

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario