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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB22N60E-GE3-ND
Cantidad disponible 930
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHB22N60E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SiHB22N60E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 86 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1920 pF a 100 V
Potencia máxima 227 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHB22N60EGE3

13:16:00 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.92000 3.92
10 3.52200 35.22
25 3.33000 83.25
100 2.88600 288.60
250 2.73800 684.50
500 2.45680 1,228.40
1,000 2.07200 2,072.00
2,500 1.96840 4,921.00
5,000 1.89440 9,472.00

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