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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB21N65EF-GE3-ND
Cantidad disponible 1,000
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHB21N65EF-GE3

Descripción MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 650V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos SIHB21N65EF
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 106 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2322 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 208 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SiHB21N65EF-GE3

12:31:23 3/1/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.84000 4.84
10 4.34600 43.46
25 4.10840 102.71
100 3.56070 356.07
250 3.37812 844.53
500 3.03116 1,515.58
1,000 2.55640 2,556.40
2,500 2.42858 6,071.45

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