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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB20N50E-GE3-ND
Cantidad disponible 2,994
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHB20N50E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 500V 19A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHB20N50E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 184 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 92 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1640 pF a 100 V
Potencia máxima 179 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

21:15:50 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.13000 3.13
10 2.80800 28.08
25 2.65520 66.38
100 2.30100 230.10
250 2.18300 545.75
500 1.95880 979.40
1,000 1.65200 1,652.00
2,500 1.56940 3,923.50
5,000 1.51040 7,552.00

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