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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB15N60E-GE3-ND
Cantidad disponible 679
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHB15N60E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 15A DPAK
Descripción ampliada N-Channel 600V 15A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SiHB15N60E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 78 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1350 pF a 100 V
Vgs (Max) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 180 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280 mOhm a 8 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHB15N60EGE3

03:21:41 1/17/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.97000 2.97
10 2.66600 26.66
25 2.52000 63.00
100 2.18400 218.40
250 2.07200 518.00
500 1.85920 929.60
1,000 1.56800 1,568.00
2,500 1.48960 3,724.00
5,000 1.43360 7,168.00

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