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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHA21N65EF-E3-ND
Cantidad disponible 1,050
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHA21N65EF-E3

Descripción MOSFET N-CH 650V 21A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 650V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos SIHA21N65EF
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado 650 V Fast Body Diode MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 106 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2322 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SiHA21N65EF-E3

09:17:55 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.67000 4.67
10 4.19100 41.91
25 3.96200 99.05
100 3.43370 343.37
250 3.25756 814.39
500 2.92302 1,461.51
1,000 2.46519 2,465.19

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