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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHA21N65EF-E3-ND
Cantidad disponible 1,050
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHA21N65EF-E3

Descripción MOSFET N-CH 650V 21A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 650V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos SIHA21N65EF
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado 650 V Fast Body Diode MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 106 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2322 pF a 100 V
Vgs (Max) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SiHA21N65EF-E3

03:13:23 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.44000 4.44
10 3.99100 39.91
25 3.77320 94.33
100 3.27020 327.02
250 3.10244 775.61
500 2.78382 1,391.91
1,000 2.34780 2,347.80
2,500 2.23041 5,576.03

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