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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLU014PBF-ND
Cantidad disponible 5,201
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLU014PBF

Descripción MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
Descripción ampliada N-Channel 60V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRLR014, IRLU014
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.4 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 400 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±10 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 25 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 200 mOhm a 4.6 A, 5 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRLU014PBF

16:43:38 1/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.91000 0.91
10 0.81400 8.14
25 0.77280 19.32
100 0.63480 63.48
250 0.59340 148.35
500 0.52440 262.20
1,000 0.41400 414.00
2,500 0.38640 966.00
5,000 0.36708 1,835.40

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