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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLI640GPBF-ND
Cantidad disponible 392
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLI640GPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Descripción ampliada N-Channel 200V 9.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRLI640G
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±10 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 5.9 A, 5 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRLI640GPBF

15:36:23 2/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.73000 2.73
10 2.44900 24.49
25 2.31520 57.88
100 2.00660 200.66
250 1.90364 475.91
500 1.70814 854.07
1,000 1.44060 1,440.60
2,500 1.36857 3,421.43
5,000 1.31712 6,585.60

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