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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLI640GPBF-ND
Cantidad disponible 1,464
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLI640GPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRLI640G
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.9 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 5.9 A, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 66 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1800 pF a 25 V
Potencia máxima 40 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRLI640GPBF

22:00:36 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.73000 2.73
10 2.44900 24.49
25 2.31520 57.88
100 2.00660 200.66
250 1.90364 475.91
500 1.70814 854.07
1,000 1.44060 1,440.60
2,500 1.36857 3,421.43
5,000 1.31712 6,585.60

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