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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLD110PBF-ND
Cantidad disponible 7,001
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLD110PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRLD110
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 540 mOhm a 600 mA, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 6.1 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 250 pF a 25 V
Potencia máxima 1.3 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 100
Otros nombres *IRLD110PBF

18:34:14 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.83000 0.83
10 0.74000 7.40
25 0.70280 17.57
100 0.57730 57.73
250 0.53964 134.91
500 0.47690 238.45
1,000 0.37650 376.50
2,500 0.35140 878.50
5,000 0.33383 1,669.15

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