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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLD110PBF-ND
Cantidad disponible 5,756
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLD110PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Descripción ampliada N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRLD110
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.1 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 250 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±10 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 540 mOhm a 600 mA, 5 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 100
Otros nombres *IRLD110PBF

23:44:22 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.83000 0.83
10 0.74000 7.40
25 0.70280 17.57
100 0.57730 57.73
250 0.53964 134.91
500 0.47690 238.45
1,000 0.37650 376.50
2,500 0.35140 878.50
5,000 0.33383 1,669.15

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