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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLD024PBF-ND
Cantidad disponible 12,020
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLD024PBF

Descripción MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Descripción ampliada N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRLD024
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 870 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±10 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 1.5 A, 5 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 100
Otros nombres *IRLD024PBF

04:40:31 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.95000 0.95
10 0.84700 8.47
25 0.80360 20.09
100 0.66010 66.01
250 0.61704 154.26
500 0.54530 272.65
1,000 0.43050 430.50
2,500 0.40180 1,004.50
5,000 0.38171 1,908.55

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