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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRL630SPBF-ND
Cantidad disponible 4,344
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRL630SPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 200V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRL630S
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±10 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 74 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 400 mOhm a 5.4 A, 5 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRL630SPBF

18:21:19 3/29/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.63000 2.63
10 2.36500 23.65
25 2.23120 55.78
100 1.90100 190.10
250 1.78500 446.25
500 1.56188 780.94
1,000 1.29413 1,294.13
2,500 1.20488 3,012.19

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