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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRL510PBF-ND
Cantidad disponible 1,728
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRL510PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 100V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRL510
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.1 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 250 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±10 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 43 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 540 mOhm a 3.4 A, 5 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRL510PBF

22:40:34 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.15000 1.15
10 1.02700 10.27
25 0.97440 24.36
100 0.80040 80.04
250 0.74820 187.05
500 0.66120 330.60
1,000 0.52200 522.00
2,500 0.48720 1,218.00
5,000 0.46284 2,314.20

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