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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFUC20PBF-ND
Cantidad disponible 1,640
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFUC20PBF

Descripción MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
Descripción ampliada N-Channel 600V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFRC20, IRFUC20
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 42 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.4 Ohm a 1.2 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFUC20PBF

14:37:27 1/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.26000 1.26
10 1.13000 11.30
25 1.07240 26.81
100 0.88090 88.09
250 0.82344 205.86
500 0.72770 363.85
1,000 0.57450 574.50
2,500 0.53620 1,340.50
5,000 0.50939 2,546.95

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