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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU9110PBF-ND
Cantidad disponible 1,357
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU9110PBF

Descripción MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
Descripción ampliada P-Channel 100V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9110
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.1 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 8.7 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 200 pF a 25 V
Vgs (Max) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 25 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 1.9 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres *IRFU9110PBF

03:13:21 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.52000 1.52
10 1.35700 13.57
25 1.28800 32.20
100 1.05800 105.80
250 0.98900 247.25
500 0.87400 437.00
1,000 0.69000 690.00
2,500 0.64400 1,610.00
5,000 0.61180 3,059.00

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