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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU214PBF-ND
Cantidad disponible 1,300
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU214PBF

Descripción MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK
Descripción ampliada N-Channel 250V 2.2A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_214
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
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Categories
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 250 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.2 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 8.2 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 140 pF a 25 V
Vgs (Max) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 25 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2 Ohm a 1.3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres *IRFU214PBF

17:33:43 1/16/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.32000 1.32
10 1.18000 11.80
25 1.12000 28.00
100 0.92000 92.00
250 0.86000 215.00
500 0.76000 380.00
1,000 0.60000 600.00
2,500 0.56000 1,400.00
5,000 0.53200 2,660.00

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