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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU210PBF-ND
Cantidad disponible 1,938
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU210PBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
Descripción ampliada N-Channel 200V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_210
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.2 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 140 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 25 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 Ohm a 1.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFU210PBF

07:51:56 2/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.17000 1.17
10 1.05000 10.50
25 0.99680 24.92
100 0.81880 81.88
250 0.76540 191.35
500 0.67640 338.20
1,000 0.53400 534.00
2,500 0.49840 1,246.00
5,000 0.47348 2,367.40

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