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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU120PBF-ND
Cantidad disponible 2,299
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU120PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
Descripción ampliada N-Channel 100V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_120
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 360 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 42 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 270 mOhm a 4.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFU120PBF

07:53:50 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.85000 0.85
10 0.74900 7.49
25 0.70360 17.59
100 0.57430 57.43
250 0.53344 133.36
500 0.45400 227.00
1,000 0.36320 363.20
2,500 0.32915 822.88
5,000 0.30645 1,532.25

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