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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU110PBF-ND
Cantidad disponible 3,846
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU110PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
Descripción ampliada N-Channel 100V 4.3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFU110, SiHFU110
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.3 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 540 mOhm a 900 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFU110PBF

07:25:06 1/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.83000 0.83
10 0.74000 7.40
25 0.70280 17.57
100 0.57730 57.73
250 0.53964 134.91
500 0.47690 238.45
1,000 0.37650 376.50
2,500 0.35140 878.50
5,000 0.33383 1,669.15

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