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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFSL9N60APBF-ND
Cantidad disponible 2,261
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFSL9N60APBF

Descripción MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Descripción ampliada N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFSL9N60A
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 750 mOhm a 5.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFSL9N60APBF

05:16:19 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.72000 2.72
10 2.44400 24.44
25 2.31080 57.77
100 2.00270 200.27
250 1.89996 474.99
500 1.70482 852.41
1,000 1.43780 1,437.80
2,500 1.36591 3,414.78
5,000 1.31456 6,572.80

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