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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFS11N50APBF-ND
Cantidad disponible 1,240
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFS11N50APBF

Descripción MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 500V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFS11N50A
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 52 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1423 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 520 mOhm a 6.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFS11N50APBF

14:59:35 3/1/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.68000 2.68
10 2.41200 24.12
25 2.27520 56.88
100 1.93830 193.83
250 1.82000 455.00
500 1.59250 796.25
1,000 1.31950 1,319.50
2,500 1.22850 3,071.25
5,000 1.18300 5,915.00

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