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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFPE50PBF-ND
Cantidad disponible 515
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFPE50PBF

Descripción MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
Descripción ampliada N-Channel 800V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFPE50
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 200 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3100 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 190 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 4.7 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres *IRFPE50PBF

10:08:12 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.60000 3.60
10 3.23100 32.31
25 3.05480 76.37
100 2.64740 264.74
250 2.51164 627.91
500 2.25370 1,126.85
1,000 1.90071 1,900.71
2,500 1.80568 4,514.19

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