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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFPC50APBF-ND
Cantidad disponible 766
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFPC50APBF

Descripción MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
Descripción ampliada N-Channel 600V 11A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFPC50A
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2100 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 180 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 580 mOhm a 6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres *IRFPC50APBF

20:53:46 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.98000 2.98
10 2.67800 26.78
25 2.53120 63.28
100 2.19380 219.38
250 2.08124 520.31
500 1.86750 933.75
1,000 1.57500 1,575.00
2,500 1.49625 3,740.63
5,000 1.44000 7,200.00

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