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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP250PBF-ND
Cantidad disponible 464
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFP250PBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
Descripción ampliada N-Channel 200V 30A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFP250
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 140 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2800 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 190 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 85 mOhm a 18 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres *IRFP250PBF

19:05:09 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.79000 2.79
10 2.50600 25.06
25 2.36920 59.23
100 2.05340 205.34
250 1.94804 487.01
500 1.74798 873.99
1,000 1.47420 1,474.20
2,500 1.40049 3,501.23
5,000 1.34784 6,739.20

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