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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP22N50APBF-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFP22N50APBF

Descripción MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
Descripción ampliada N-Channel 500V 22A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFP22N50A
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-003-2014-Rev-0 14/Feb/2014
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3450 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 277 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 230 mOhm a 13 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres *IRFP22N50APBF

11:29:02 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.87000 3.87
10 3.47500 34.75
25 3.28520 82.13
100 2.84700 284.70
250 2.70100 675.25
500 2.42360 1,211.80
1,000 2.04400 2,044.00
2,500 1.94180 4,854.50
5,000 1.86880 9,344.00

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