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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFIBF30GPBF-ND
Cantidad disponible 1,235
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFIBF30GPBF

Descripción MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFIBF30G
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 900 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.9 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.7 Ohm a 1.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 78 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1200 pF a 25 V
Potencia máxima 35 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFIBF30GPBF

17:21:26 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.45000 3.45
10 3.09400 30.94
25 2.92520 73.13
100 2.53500 253.50
250 2.40500 601.25
500 2.15800 1,079.00
1,000 1.82000 1,820.00
2,500 1.72900 4,322.50
5,000 1.66400 8,320.00

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