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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFIBE30GPBF-ND
Cantidad disponible 666
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFIBE30GPBF

Descripción MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
Descripción ampliada N-Channel 800V 2.1A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFIBE30G
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 78 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 1.3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFIBE30GPBF

08:26:03 3/29/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.45000 2.45
10 2.19800 21.98
25 2.07360 51.84
100 1.76680 176.68
250 1.65900 414.75
500 1.45162 725.81
1,000 1.20278 1,202.78
2,500 1.11982 2,799.56

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