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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFIBE30GPBF-ND
Cantidad disponible 992
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFIBE30GPBF

Descripción MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFIBE30G
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.1 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 1.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 78 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1300 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFIBE30GPBF

06:51:11 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.33000 2.33
10 2.09400 20.94
25 1.97520 49.38
100 1.68270 168.27
250 1.58000 395.00
500 1.38250 691.25
1,000 1.14550 1,145.50
2,500 1.06650 2,666.25
5,000 1.02700 5,135.00

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