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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFIB6N60APBF-ND
Cantidad disponible 921
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFIB6N60APBF

Descripción MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Descripción ampliada N-Channel 600V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFIB6N60A,SiHFIB6N60A
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 60 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 750 mOhm a 3.3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFIB6N60APBF

20:55:31 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.97000 3.97
10 3.56800 35.68
25 3.37280 84.32
100 2.92310 292.31
250 2.77316 693.29
500 2.48834 1,244.17
1,000 2.09860 2,098.60
2,500 1.99367 4,984.18
5,000 1.91872 9,593.60

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