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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFIB5N65APBF-ND
Cantidad disponible 815
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFIB5N65APBF

Descripción MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
Descripción ampliada N-Channel 650V 5.1A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFIB5N65A, SiHFIB5N65A
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1417 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 60 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 930 mOhm a 3.1 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFIB5N65APBF

11:14:11 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.24000 3.24
10 2.90600 29.06
25 2.74720 68.68
100 2.38100 238.10
250 2.25884 564.71
500 2.02686 1,013.43
1,000 1.70940 1,709.40
2,500 1.62393 4,059.83
5,000 1.56288 7,814.40

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