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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFI644GPBF-ND
Cantidad disponible 8,597
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFI644GPBF

Descripción MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
Descripción ampliada N-Channel 250V 7.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFI644G
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 250 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 68 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280 mOhm a 4.7 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFI644GPBF

12:07:33 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.09000 2.09
10 1.87400 18.74
25 1.76760 44.19
100 1.50590 150.59
250 1.41400 353.50
500 1.23726 618.63
1,000 1.02515 1,025.15
2,500 0.95445 2,386.13
5,000 0.91910 4,595.50

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