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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFDC20PBF-ND
Cantidad disponible 2,578
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFDC20PBF

Descripción MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
Descripción ampliada N-Channel 600V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFDC20
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 320 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.4 Ohm a 190 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFDC20PBF

08:21:31 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.15000 2.15
10 1.93500 19.35
25 1.82520 45.63
100 1.55490 155.49
250 1.46000 365.00
500 1.27750 638.75
1,000 1.05850 1,058.50
2,500 0.98550 2,463.75
5,000 0.94900 4,745.00

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