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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD9220PBF-ND
Cantidad disponible 871
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD9220PBF

Descripción MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
Descripción ampliada P-Channel 200V 560mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD9220
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 560 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 340 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 Ohm a 340 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 100
Otros nombres *IRFD9220PBF

17:54:08 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.21000 1.21
10 1.07800 10.78
25 1.02320 25.58
100 0.84040 84.04
250 0.78560 196.40
500 0.69426 347.13
1,000 0.54810 548.10
2,500 0.51156 1,278.90
5,000 0.48598 2,429.91

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