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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD9210PBF-ND
Cantidad disponible 1,431
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD9210PBF

Descripción MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Descripción ampliada P-Channel 200V 400mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD9210
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 400 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.9 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 170 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 240 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD9210PBF

23:35:25 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.77000 0.77
10 0.67300 6.73
25 0.63240 15.81
100 0.51610 51.61
250 0.47940 119.85
500 0.40800 204.00
1,000 0.32640 326.40
2,500 0.29580 739.50
5,000 0.27540 1,377.00

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