Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD9210PBF-ND
Cantidad disponible 1,640
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD9210PBF

Descripción MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD9210
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 400 mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 240 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 8.9 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 170 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD9210PBF

10:01:20 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.77000 0.77
10 0.67300 6.73
25 0.63240 15.81
100 0.51610 51.61
250 0.47940 119.85
500 0.40800 204.00
1,000 0.32640 326.40
2,500 0.29580 739.50
5,000 0.27540 1,377.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario