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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD9020PBF-ND
Cantidad disponible 1,066
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD9020PBF

Descripción MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
Descripción ampliada P-Channel 60V 1.6A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD9020
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 570 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280 mOhm a 960 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD9020PBF

23:35:04 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.22000 1.22
10 1.09400 10.94
25 1.03880 25.97
100 0.85330 85.33
250 0.79764 199.41
500 0.70490 352.45
1,000 0.55650 556.50
2,500 0.51940 1,298.50
5,000 0.49343 2,467.15

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