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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD9010PBF-ND
Cantidad disponible 5,506
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD9010PBF

Descripción MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
Descripción ampliada P-Channel 50V 1.1A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD9010, SiHFD9010
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 50 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.1 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 11 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 240 pF a 25 V
Vgs (Max) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 500 mOhm a 580 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD9010PBF

08:09:06 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.11000 1.11
10 0.98800 9.88
25 0.93800 23.45
100 0.77050 77.05
250 0.72024 180.06
500 0.63650 318.25
1,000 0.50250 502.50
2,500 0.46900 1,172.50
5,000 0.44555 2,227.75

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