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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD9010PBF-ND
Cantidad disponible 5,517
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD9010PBF

Descripción MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD9010, SiHFD9010
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET Canal P, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 50 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.1 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 500 mOhm a 580 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 11 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 240 pF a 25 V
Potencia máxima 1 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD9010PBF

21:20:25 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.11000 1.11
10 0.98800 9.88
25 0.93800 23.45
100 0.77050 77.05
250 0.72024 180.06
500 0.63650 318.25
1,000 0.50250 502.50
2,500 0.46900 1,172.50
5,000 0.44555 2,227.75

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