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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD420PBF-ND
Cantidad disponible 2,500
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD420PBF

Descripción MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
Descripción ampliada N-Channel 500V 370mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD420
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 370 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 360 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 220 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD420PBF

17:11:03 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.77000 1.77
10 1.59000 15.90
25 1.50000 37.50
100 1.27800 127.80
250 1.20000 300.00
500 1.05000 525.00
1,000 0.87000 870.00
2,500 0.81000 2,025.00
5,000 0.78000 3,900.00

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