Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD320PBF-ND
Cantidad disponible 2,255
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD320PBF

Descripción MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
Descripción ampliada N-Channel 400V 490mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD320
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 400 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 490 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 410 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.8 Ohm a 210 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD320PBF

10:49:15 2/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.77000 1.77
10 1.59000 15.90
25 1.50000 37.50
100 1.27800 127.80
250 1.20000 300.00
500 1.05000 525.00
1,000 0.87000 870.00
2,500 0.81000 2,025.00
5,000 0.78000 3,900.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario