Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD220PBF-ND
Cantidad disponible 1,578
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD220PBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD220
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 800 mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 800 mOhm a 480 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 14 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 260 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD220PBF

06:09:58 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.95000 0.95
10 0.84700 8.47
25 0.80360 20.09
100 0.66010 66.01
250 0.61704 154.26
500 0.54530 272.65
1,000 0.43050 430.50
2,500 0.40180 1,004.50
5,000 0.38171 1,908.55

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario