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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD210PBF-ND
Cantidad disponible 4,589
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD210PBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
Descripción ampliada N-Channel 200V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD210
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 600 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.2 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 140 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 Ohm a 360 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD210PBF

00:24:27 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.87000 0.87
10 0.77600 7.76
25 0.73640 18.41
100 0.60490 60.49
250 0.56544 141.36
500 0.49970 249.85
1,000 0.39450 394.50
2,500 0.36820 920.50
5,000 0.34979 1,748.95

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