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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD123PBF-ND
Cantidad disponible 2,291
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD123PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD123
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.3 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 270 mOhm a 780 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 16 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 360 pF a 25 V
Potencia máxima 1.3 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD123PBF

09:23:12 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.32000 1.32
10 1.18000 11.80
25 1.12000 28.00
100 0.92000 92.00
250 0.86000 215.00
500 0.76000 380.00
1,000 0.60000 600.00
2,500 0.56000 1,400.00
5,000 0.53200 2,660.00

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