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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD110PBF-ND
Cantidad disponible 6,678
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD110PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Descripción ampliada N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD110
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.3 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 540 mOhm a 600 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 100
Otros nombres *IRFD110PBF

10:08:27 3/30/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.75000 0.75
10 0.66200 6.62
25 0.62160 15.54
100 0.50740 50.74
250 0.47128 117.82
500 0.40110 200.55
1,000 0.32088 320.88
2,500 0.29080 726.99
5,000 0.27074 1,353.71

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