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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD010PBF-ND
Cantidad disponible 1,080
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD010PBF

Descripción MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
Descripción ampliada N-Channel 50V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD010, IRFD012
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 50 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 250 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 200 mOhm a 860 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD010PBF

18:02:07 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.39000 1.39
10 1.23900 12.39
25 1.17600 29.40
100 0.96600 96.60
250 0.90300 225.75
500 0.79800 399.00
1,000 0.63000 630.00
2,500 0.58800 1,470.00
5,000 0.55860 2,793.00

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