Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD010PBF-ND
Cantidad disponible 1,187
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD010PBF

Descripción MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFD010, IRFD012
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 50 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.7 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 200 mOhm a 860 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 13 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 250 pF a 25 V
Potencia máxima 1 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD010PBF

09:24:12 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.32000 1.32
10 1.18000 11.80
25 1.12000 28.00
100 0.92000 92.00
250 0.86000 215.00
500 0.76000 380.00
1,000 0.60000 600.00
2,500 0.56000 1,400.00
5,000 0.53200 2,660.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario